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Descripción
Transistor de pequeña señal bipolar, tipo NPN, Vceo 40 Vmin., fT 300 MHz min. @ 20 mA, Ic 600 mA max. hFE 100 min. a 300 max. @ 150 mA, encapsulado de plástico TO-226AA (TO-92). Estan diseñados para amplificación de pequeña señal de baja radiofrecuencia, también son usados como switches de propósito general.
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